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闪存: 半导体Micron美光35亿美金押宝NAND闪存 |
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作者:第三媒体
来源:www.TheThirdMedia.com
日期:2006-09-16
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[摘要]
美国半导体厂商Micron美光表示,他们将于2007年在NAND闪存业务上投入35亿美金的巨资,以扩充生产NAND闪存的设备之用。
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[正文]
美国半导体厂商Micron美光表示,他们将于2007年在NAND闪存业务上投入35亿美金的巨资,以扩充生产NAND闪存的设备之用。
产业分析师认为,美光之所以35亿美金巨资押宝NAND闪存,一方面在于看好NAND闪存在电脑产品、消费电子产品上的应用前景,另外,美光也希望借此在和三星电子、东芝等竞争对手的NAND大战当中保持优势地位。
美光之前和Intel合资成立IM Flash公司,目前的主营业务就是NAND闪存。IM Flash公司的竞争对手包括三星、Hynix、东芝以及部分台湾厂商。美光和Intel希望合资公司在芯片工艺和产能上都不会输于竞争对手。IM Flash将在NAND闪存工艺上率先采用50nm工艺,在2008年底到2009年初,12英寸50nm NAND产品将投入量产。 (2006-09-16)
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